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현존 최소 두께 ‘0.65mm’…삼성전자, 12나노급 LPDDR5X D램 양산

‘온-디바이스 AI’ 맞춤형 D램 반도체
“저전력 D램 시장 기술 리더십 확고히”

삼성전자 LPDDR5X 0.65mm 제품 이미지. [사진 삼성전자]

[이코노미스트 정두용 기자] 삼성전자가 12나노급 LPDDR5X D램 12∙16기가바이트(GB) 패키지 양산을 시작했다고 6일 밝혔다. 이번 제품의 두께는 0.65mm로 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다. 회사 측은 “저전력 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 했다”고 전했다.

삼성전자는 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓아 업계 최소 크기를 구현했다. 패키지 기술·패키지 회로 기판 및 EMC(Epoxy Molding Compound) 기술 등 최적화를 통해 이전 세대 제품 대비 두께를 약 9% 줄였다. 열 저항 역시 전 세대 대비 약 21.2% 개선했다. EMC는 수분·열·충격 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체 회로를 보호하는 보호재를 말한다.

삼성전자는 또 패키지 공정 중 하나인 백랩(Back-lap·웨이퍼 뒷면을 연마해 두께를 얇게 만드는 공정)의 기술력을 통해 웨이퍼를 최대한 얇게 만들어 최소 두께 패키지를 구현했다. 회사 측은 “얇아진 두께만큼 추가로 여유 공간 확보를 통해 원활한 공기 흐름이 유도되고, 기기 내부 온도 제어에 도움을 줄 수 있다”며 “이번 제품을 탑재하면 발열로 인해 해당 기능이 작동하는 시간을 최대한 늦출 수 있어 속도와 화면 밝기 저하 등의 기기 성능 감소를 최소화할 수 있다”고 전했다.
삼성전자 LPDDR5X 0.65mm 제품 이미지. [사진 삼성전자]

삼성전자는 이번 제품이 특히 ‘온-디바이스 AI’(On-Device AI·서버 연결 없이 기기 자체적으로 AI 기능을 수행하는 기술)에 적합하다고 소개했다. 일반적으로 높은 성능을 요구하는 온 디바이스 AI는 발열로 인해 기기 온도가 일정 구간을 넘기면 성능을 제한하는 온도 제어 기능(Throttling·기기가 지나치게 과열될 때 기기의 손상을 막고자 클럭과 전압을 강제적으로 낮추는 등의 제어를 통해 발열을 줄이는 기능)이 작동한다.

삼성전자는 이번 0.65mm LPDDR5X D램을 모바일 애플리케이션 프로세서 및 모바일 업체에 적기에 공급해 저전력 D램 시장을 더욱 확대해 나갈 예정이다. 삼성전자는 향후 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 가장 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발할 계획이다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 “고성능 온디바이스 AI의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 성능뿐만 아니라 온도 제어 개선 역량 또한 중요해졌다”며 “삼성전자는 기존 제품 대비 두께가 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 최적화된 솔루션을 제공하겠다”고 말했다.
삼성전자 LPDDR5X 0.65mm 제품 이미지. [사진 삼성전자]


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