[이코노미스트 이병희 기자] 삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 삼성전자에 따르면 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용해 이전 세대 제품보다 생산성이 약 20% 향상됐다.

소비 전력은 23%가량 개선됐다. 이에 따라 데이터센터 등을 운영하는 데 전력 운영 효율을 높일 수 있다는 게 회사 측 설명이다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다고 전했다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다.

동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다고 삼성전자는 설명했다.  이 밖에 DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터‧인공지능‧차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

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