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“TSMC 비켜” 윤석열·바이든이 서명한 그 반도체 첫 양산

Gate All Around 파운드리 3나노
평택캠퍼스로 생산 확대할 계획

 
 
삼성전자가 25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 세계 최초로 차세대 트랜지스터 Gate All Around(GAA)을 적용한 파운드리 3나노 반도체 양산 출하식에서 3나노 웨이퍼를 공개하고 있다. [공동취재=연합뉴스]

삼성전자가 25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 세계 최초로 차세대 트랜지스터 Gate All Around(GAA)을 적용한 파운드리 3나노 반도체 양산 출하식에서 3나노 웨이퍼를 공개하고 있다. [공동취재=연합뉴스]

삼성전자가 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노(1㎚=10억분의 1m) 공정 양산에 25일 첫발을 내디뎠다. 조 바이든 미국 대통령이 6월 20일 방한 때 경기도 평택시에 있는 삼성전자 반도체 공장을 방문해 윤석열 대통령과 함께 방문 기념 서명을 남겼던 그 제품이다.
 

차세대 트랜지스터 Gate All Around(GAA) 기술을 적용한 파운드리 3나노 제품은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 평가 받고 있다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적과 소비 전력은 절감하고 성능을 높인 신기술이다.  
 
삼성전자는 “3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정에 비해 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적 16% 축소됐다”고 설명했다. 이어 “GAA 트랜지스터 구조에 대한 연구를 2000년대 초반부터 시작해 2017년부터 3나노 공정에 적용한 끝에 마침내 양산에 성공했다”고 말했다. 이와 함께 “화성캠퍼스에 이어 훗날 평택캠퍼스까지 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 확대해 나갈 예정”이라고 덧붙였다.  
 
삼성전자는 이로써 세계 시장점유율 1위 기업인 대만 TSMC나 미국 인텔보다 한발 앞선 기술이어서 추격 거리를 더욱 좁힐 수 있게 됐다.
 
삼성전자는 이를 기념하기 위해 25일 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 ‘세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식’을 가졌다. 이날 자리엔 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사(사장), 최시영 사업부장, 협력사·팹리스 관계자 등 100여명이 참석해 축하했다.  
 

박정식 기자 tango@edaily.co.kr
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