IT 일반
SK하이닉스, 세계 최고 사양 ‘HBM3E’ 개발
- “엔비디아에 샘플 공급해 성능 검증 진행”

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3), 5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.
SK하이닉스는 “HBM3을 독점 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다.
SK하이닉스에 따르면 이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다. 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있으며, 어드밴스드 MR-MUF 기술 적용으로 열 방출 성능도 기존보다 10% 향상됐다. 하위 호환성도 갖춰 HBM3을 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 적용할 수 있다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식보다 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이란 평가다.
하위 호환성은 과거 버전 제품과 호환되도록 구성된 정보기기(IT)‧컴퓨팅 시스템 내에서 신제품이 별도의 수정이나 변경 없이 그대로 쓰일 수 있는 것을 뜻한다.
류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 “HBM3E를 통해 HBM 시장에서 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영 실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다.
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