[이코노미스트 마켓in 이건엄 기자] 삼성전자(005930)가 차세대 반도체 경쟁력을 끌어올리기 위해 미국 실리콘밸리에 R&D 조직을 신설했다. 기술 초격차를 통해 경기 침체와 미국과 중국의 무역 갈등 등 불확실성이 확대되는 상황에서 경쟁 우위에 서겠다는 판단이 작용한 것으로 풀이된다. 

16일 투자은행(IB) 업계에 따르면 삼성전자는 지난 5월 12일 미국 실리콘밸리에 삼성종합기술원(SAIT) 산하 차세대 반도체 R&D 조직인 ‘Samsung federal inc’를 설립했다. 

해당 조직은 삼성전자의 반도체 사업을 맡고 있는 디바이스 솔루션(DS) 부문 미주총괄법인(DSA)에 들어섰다. 시장에서는 삼성전자가 신설된 R&D 조직을 앞세워 미국을 비롯한 글로벌 반도체 인프라를 적극 활용할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자가 차세대 반도체 개발을 위한 조직을 신설한 것은 최근 불확실성이 가중되고 있는 시장의 상황과 관련이 깊다. 시장의 불확실성이 확대된 만큼 기술 경쟁력을 끌어올려 글로벌 무대에서 우위에 서겠다는 판단이 작용한 것이다. 

실제 삼성전자의 주력인 메모리 반도체의 경우 경기침체 여파로 수요가 급감해 고전을 면치 못하고 있다. 

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 PC용 D램 범용제품 DDR4 8Gb(1Gx8)의 지난달 평균 고정거래가격은 1.34달러를 기록. 6월보다 1.47% 하락한 수준이다. 지난 4월부터 4개월 연속 하락세를 유지 중이다. 메모리카드 및 USB향 낸드플래시 범용제품 128Gb(16Gx8 MLC)의 고정거래가격은 평균 3.82달러로 보합세를 보였다. 

또 반도체 위탁생산(파운드리) 등 삼성전자가 미래 먹거리로 낙점한 사업들의 경우 대만 TSMC를 비롯한 경쟁사와의 기술 경쟁이 격화되면서 어려움을 겪고 있다. 삼성전자가 사실상 주도했던 초미세공정의 경우 TSMC가 최근 2나노미터(nm,1nm는10억분의1m) 공정 시제품 생산 계획을 앞당기면서 빨간불이 켜진 상태다. 오는 2025년 양산 계획을 밝힌 TSMC는 이미 2나노 공정 첫 번째 고객사로 애플과 엔비디아를 확보했다.

여기에 미국과 중국의 무역갈등으로 촉발된 불확실성도 여전하다. 미국 정부는 지난해 10월 중국의 반도체 굴기를 막기 위해 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 16nm이하 로지칙을 생산할 수 있는 장비와 기술을 중국에 들일 경우 미 상무부의 별도 허가를 받도록 했다. 사실상 중국 내 첨단 반도체 장비 업그레이드를 막기 위한 조치인 셈이다.

이와 관련 삼성전자 관계자는 “조직이 신설된 만큼 구체적인 계획은 아직 확정되지 않았다”고 설명했다.

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