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SK하이닉스, 용인에 9.4조 쏟아붓는다…‘AI 반도체 생산 거점’ 마련

이사회 결의 통해 투자 결정…1기 팹 건설 비용 승인
2027년 5월 준공…차세대 D램 생산하고 소부장 지원

용인 반도체 클러스터 조감도. [제공 SK하이닉스]

[이코노미스트 정두용 기자] SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 9조4000억원을 투자한다.

SK하이닉스는 26일 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4000억원을 투자하기로 했다. SK하이닉스 측은 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 전했다.

용인 클러스터는 경기도 용인 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성된다. 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행되고 있다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여 개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다.

회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 성장시킨다는 계획이다.

SK하이닉스 이사회에서 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설·업무지원동·복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다.

회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이다. 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

SK하이닉스는 이와 함께 국내 반도체 소재·부품·장비(소부장) 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축한다. SK하이닉스는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설을 말한다.

김영식 SK하이닉스 제조기술담당(부사장)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가 경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

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