글로벌 반도체 기업들의 낸드플래시 선두 경쟁이 한층 격화하고 있다. SK하이닉스는 지난 3일 세계 최초로 238단 낸드플래시 개발에 성공했다고 밝혔다. 지난 7월 미국 마이크론 232단 낸드플래시 양산을 선언하며 최초로 200단 돌파를 선언했는데 불과 일주일 만에 SK하이닉스가 이를 뛰어넘는 제품을 내놓은 것이다.
 
낸드플래시는 메모리반도체의 한 종류다. 반도체 기업들은 이 제품의 저장 용량을 키우기 위해 기본 저장 단위인 셀을 수직으로 쌓아 올리는 기술에 집중한다. 이번에 SK하이닉스가 개발한 238단은 세계 최고 수준이다. 건물에 비유하면 238층 높이 빌딩을 올린 셈이다. 이전까지 최고층 낸드는 미국 마이크론의 232단이었다. 현재까지 ‘200단’ 이상 셀을 쌓은 곳은 마이크론과 SK하이닉스뿐이다.  
 
SK하이닉스는 2일(현지 시간) 미국 산타클라라에서 개막한 세계 최대 낸드플래시 콘퍼런스 ‘플래시메모리 서밋 2022’에서 238단 512Gb(기가비트) TLC 4D 낸드플래시 신제품을 공개했다. 내년 상반기에는 제품 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.
 
최정달 SK하이닉스 낸드개발담당(부사장)은 “당사는 4차원(4D) 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것”이라고 말했다.
 
낸드 시장점유율 1위인 삼성전자는 새로운 반도체를 내놓는 대신 차세대 메모리 솔루션을 공개했다. 최진혁 삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실 부사장은 이날 '빅데이터 시대의 메모리 혁신'이라는 주제의 기조연설을 진행하고 차세대 메모리 솔루션을 공개했다.
 
삼성전자는 글로벌 기업들과 고용량 SSD의 다양한 폼팩터와 스택 구조 기술 개발을 협력하고 있으며, 이를 통해 페타바이트급의 스토리지 시스템 구현이 가능하다고 밝혔다.
 
그는 대량의 데이터를 이동(Movement), 저장(Storage), 처리(Processing), 관리(Management)하기 위해서는 메모리 기술의 혁신적인 발전이 필요하다고 했다. 이를 위한 서버 시스템의 공간 활용도를 높인 '페타바이트 스토리지(Petabyte storage)', 인공지능(AI)·머신러닝(ML)에 최적화된 '메모리 시맨틱 SSD(Memory-Semantic SSD)', 스토리지를 안정적으로 관리할 수 있는 '텔레메트리(Telemetry)' 등 차세대 메모리 솔루션을 소개했다.
 
일각에선 176단 낸드플래시 수준에 머물러 있는 삼성전자가 아직 메모리 솔루션에 집중할 수 있는 것은 그만큼 기술적인 여유가 있다는 뜻으로 해석한다. 셀은 높이 올리더라도 쌓는 방식에 따라 기술력에서 차이가 난다. 한 번(싱글 스택)에 100단 이상 쌓기가 쉽지 않은데 대부분의 반도체 기업들은 100단 이상 스택 두 개를 연결하는 더블 스택 방식으로 초고층 낸드플래시를 만드는 것으로 알려졌다.    
 
삼성전자는 현재 싱글 스택 기술로 128단을 한 번에 쌓을 수 있는데 이론상으론 더블 스택 기술을 적용할 경우 256단 낸드 개발이 가능하다는 것이다.  
 
다만 더 높이 쌓는 적층 경쟁에서 마이크론과 SK하이닉스가 삼성전자를 바짝 추격하면서 기술 격차가 좁혀지고 있다는 분석도 나온다. 최진혁 부사장은 “폭발적인 데이터 증가는 업계에 큰 도전이 되고 있으며, 이를 극복하기 위해서는 업계의 생태계 구축이 중요하다”며 “삼성전자는 데이터의 이동, 저장, 처리, 관리 각 분야에 맞는 혁신적인 반도체 솔루션을 통해 인공지능, 머신러닝, 고성능 컴퓨팅 등 다양한 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

이병희 기자 leoybh@edaily.co.kr

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