[이코노미스트 박재우 기자] 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 5세대 D램 공정 양산에 돌입하고 차세대 모바일 D램까지 상용화하며 삼성전자와 SK하이닉스를 추격하고 있다. 과거 중저가·범용 제품에 집중했던 중국 D램이 고성능 모바일 제품과 공정 미세화로 영역을 넓히면서 메모리 시장의 경쟁도 한층 치열해질 전망이다.

24일 반도체 업계에 따르면 CXMT는 지난 20일 중국 허페이에서 열린 세계제조업대회에서 5세대 D램 기술 플랫폼 'G5'의 양산에 들어갔다고 발표했다.

CXMT는 메모리 배열의 핵심 구조 간 간격을 11.95나노미터(㎚) 수준까지 줄였다. 첨단 노광장비 활용에 제약이 있는 상황에서 여러 제조 단계를 반복해 미세한 회로를 구현하는 쿼드러플 패터닝(QTP) 기술을 활용했다.

생산성도 끌어올렸다는 게 CXMT의 설명이다. 8Gb 칩 기준 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 다이 수가 기존 4세대 플랫폼보다 50% 이상 늘었다. 실제 양산 수율이 안정적으로 확보될 경우 같은 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있어 원가 경쟁력을 높일 수 있다.

CXMT는 G5를 적용한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 제품 2종도 공개했다. LPDDR5X는 스마트폰과 휴대용 전자기기에 사용되는 고성능·저전력 D램으로, 신제품은 기존 제품보다 저장 용량을 50% 확대했다.

차세대 모바일 D램인 LPDDR6에서는 이미 상용화에 들어갔다. CXMT는 지난 7일 LPDDR6를 양산해 샤오미의 폴더블 스마트폰 '샤오미 18 폴드'에 탑재했다고 발표했다. 최대 데이터 전송속도는 초당 12.8기가비트(Gbps)다.

LPDDR은 스마트폰 등에 주로 사용되는 저전력 D램으로 기기 자체에서 AI를 구동하는 온디바이스 AI가 확산하면서 처리 속도와 전력 효율의 중요성이 커지고 있다. 중국 메모리 업체의 경쟁 영역이 구형·저가 제품에서 최신 모바일 D램으로 빠르게 이동하고 있는 셈이다.

사업 영역을 낸드플래시로 확대하려는 움직임도 나타나고 있다. 로이터통신은 지난 18일 CXMT가 베이징에 건설 중인 새 공장에 3차원(3D) 낸드 연구개발(R&D) 생산라인을 구축할 계획이라고 보도했다. 다만 낸드 양산 시점은 아직 정해지지 않았으며 계획이 변경될 가능성도 있다.

삼성전자와 SK하이닉스와의 격차가 당장 사라진 것은 아니다. 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 세계 D램 매출 점유율은 삼성전자 39.4%, SK하이닉스 24.9%, 미국 마이크론 23.3%로 상위 3개사가 시장 대부분을 차지했다.

특히 AI 시대 핵심 메모리인 고대역폭메모리(HBM)는 범용 D램과 다른 기술 장벽을 갖고 있다. 고성능 D램을 여러 층으로 쌓아 만드는 만큼 미세공정뿐 아니라 적층과 열관리, 첨단 패키징, 수율 확보와 고객사 인증까지 복합적인 기술력이 필요하다.

삼성전자는 HBM을 비롯한 AI용 고부가 메모리와 10나노급 6세대(1c) D램 등에 투자를 집중하고 있다. SK하이닉스도 HBM 시장에서 차세대 제품 공급을 확대하며 AI 메모리 경쟁을 이어가고 있다.

모바일 D램에서도 경쟁이 본격화하고 있다. 삼성전자는 23일 LPDDR6를 퀄컴의 차세대 '스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대' 플랫폼에서 최대 10.7Gbps 속도로 업계 최초 검증했다고 밝혔다. SK하이닉스는 지난 3월 1c 공정을 적용한 LPDDR6 개발을 완료하고 하반기 공급에 나선다는 계획을 밝힌 바 있다.

CXMT가 범용 D램에서 공정 수준과 생산성을 빠르게 끌어올리고 있지만 이를 HBM 경쟁력으로 연결하기 위해서는 적층·패키징과 수율 확보, 고객 인증 등 추가로 넘어야 할 단계가 남아 있다는 평가다.

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