삼성전자가 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 공정의 양산에 돌입한다. ‘3나노 양산’을 본격화하는 삼성전자는 세계 시장점유율 1위인 대만의 TSMC를 향한 추격의 고삐를 더욱 조일 것으로 보인다.  
 
23일 업계에 따르면 삼성전자는 다음 주 중 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 것으로 알려졌다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다.
 
앞서 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 올해 상반기 내 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 목표를 제시해 왔다. TSMC의 경우 연초에 올 하반기 3나노 반도체를 양산할 것이라고 밝힌 바 있다.
 
삼성전자는 지난달 이미 3나노 양산을 예고한 바 있다. 지난달 20일 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택캠퍼스를 방문했을 때 GAA 기반 3나노 시제품에 윤석열 대통령과 서명하며 양산이 초읽기에 들어갔음을 대내외적으로 알리기도 했다.  
 
당초 업계에서는 삼성전자가 수율(결함이 없는 합격품의 비율) 문제로 3나노 양산을 연기하는 것이 아니냐는 관측이 나왔다. 하지만 삼성전자 관계자는 이를 일축하며 “3나노 양산 일정은 예정대로 차질없이 진행되고 있으며 상반기 중 양산을 시작한다”고 말했다. 업계 관계자도 “3나노 양산을 공식 발표한다는 것은 수율 문제가 일정 부분 이상 해결됐다는 의미일 것”이라고 말했다.  
 

삼성전자가 TSMC에 앞서 3나노 양산을 시작한다는 것은 고객사에 기술력 확보를 증명하는 셈이다. 이로 인해 파운드리 시장에서 TSMC 아성에 균열이 일어날지 관심이 집중되고 있다.  
 
최근 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 올 1분기 파운드리 매출은 53억2800만 달러(약 6조4256억원)로, 지난해 4분기 대비 3.9% 감소했다. 글로벌 파운드리 10대 주요 업체 가운데 1분기 매출액이 유일하게 감소했다. 시장 점유율도 이 기간 18.3%에서 16.3%로 줄었다. 반면 TSMC는 같은 기간 11.3% 증가한 175억2900만 달러의 매출을 올려 점유율도 52.1%에서 53.6%로 늘어났다.
 
하지만 이번 ‘3나노 양산’으로 대변되는 초미세 공정 기술력 확보로 이재용 삼성전자 부회장의 초격차 경영이 가속된다면 파운드리 시장에 일대 지각변동이 일어날 가능성도 점점 커지고 있다. 

허인회 기자 inhoe17@edaily.co.kr

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